Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
Vishay
SIR468DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 22.7A

Trans MOSFET N-CH 30V 22.7A
MOSFET Vishay SIR468DP-T1-GE3
Код SIR468DP-T1-GE3
Производитель Vishay
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 1.04mm
Product Length 4.9mm
Category Power MOSFET
Maximum Power Dissipation 5000mW
Product Width 5.89mm
Supplier Package PowerPAK SO
Configuration Single; Quad Drain, Triple Source
Typical Fall Time 15ns
Typical Rise Time 14ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 30V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 22.7A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.0057Ω
Typical Turn-Off Delay Time 30ns
Typical Turn-On Delay Time 25ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя SIR468DP-T1-GE3
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет