Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
Vishay
SI9933CDY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 4A

Trans MOSFET P-CH 20V 4A
MOSFET Vishay SI9933CDY-T1-GE3
Код SI9933CDY-T1-GE3
Производитель Vishay
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -50°C
Product Height 1.55mm
Product Length 5mm
Category Power MOSFET
Maximum Power Dissipation 2000mW
Product Width 4mm
Supplier Package SOIC N
Configuration Dual; Dual Drain
Typical Fall Time 13ns
Typical Rise Time 50ns
Number of Elements per Chip 2
Channel Type P
Maximum Drain Source Voltage 20V
Maximum Gate Source Voltage ±12V
Maximum Continuous Drain Current 4A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.058Ω
Typical Turn-Off Delay Time 29ns
Typical Turn-On Delay Time 21ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя SI9933CDY-T1-GE3
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет