Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
Vishay
SI9435BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 4.1A 30V SOIC8

MOSFET P-CH 4.1A 30V SOIC8
MOSFET Vishay SI9435BDY-T1-E3
Код SI9435BDY-T1-E3
Производитель Vishay
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 1.55
Product Length 5
Category Power MOSFET
Product Width 4
Supplier Package SOIC N
Configuration Single; Quad Drain, Triple Source
Typical Fall Time 30ns
Typical Rise Time 14ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type P
Maximum Drain Source Voltage 30V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 4.1A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.042Ω
Typical Turn-Off Delay Time 42ns
Typical Turn-On Delay Time 14ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя SI9435BDY-T1-E3
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет