Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
Vishay
SI4936CDY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 5A N

Trans MOSFET N-CH 30V 5A N
MOSFET Vishay SI4936CDY-T1-GE3
Код SI4936CDY-T1-GE3
Производитель Vishay
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 1.55mm
Product Length 5mm
Category Power MOSFET
Maximum Power Dissipation 1700mW
Product Width 4mm
Supplier Package SOIC N
Configuration Dual; Dual Drain
Typical Fall Time 11ns
Typical Rise Time 13ns
Number of Elements per Chip 2
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 30V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 5A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.04Ω
Typical Turn-Off Delay Time 16ns
Typical Turn-On Delay Time 12ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя SI4936CDY-T1-GE3
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет