Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
Vishay
SI4900DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A N

Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A N
MOSFET Vishay SI4900DY-T1-E3
Код SI4900DY-T1-E3
Производитель Vishay
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 1.55mm
Product Length 5mm
Category Power MOSFET
Maximum Power Dissipation 2000mW
Product Width 4mm
Supplier Package SOIC N
Configuration Dual; Dual Drain
Typical Fall Time 10ns
Typical Rise Time 65, 15ns
Number of Elements per Chip 2
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 60V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 4.3A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.058Ω
Typical Turn-Off Delay Time 15, 20ns
Typical Turn-On Delay Time 15, 10ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя SI4900DY-T1-E3
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет