Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
Vishay
SI4804BDY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A N

Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A N
MOSFET Vishay SI4804BDY-T1-E3
Код SI4804BDY-T1-E3
Производитель Vishay
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 1.55mm
Product Length 5mm
Category Power MOSFET
Maximum Power Dissipation 1100mW
Product Width 4mm
Supplier Package SOIC N
Configuration Dual; Dual Drain
Typical Fall Time 9ns
Typical Rise Time 10ns
Number of Elements per Chip 2
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 30V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 5.7A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.022Ω
Typical Turn-Off Delay Time 19ns
Typical Turn-On Delay Time 9ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя SI4804BDY-T1-E3
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет