Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
Vishay
SI4162DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A N

Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A N
MOSFET Vishay SI4162DY-T1-GE3
Код SI4162DY-T1-GE3
Производитель Vishay
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 1.55mm
Product Length 5mm
Category Power MOSFET
Maximum Power Dissipation 2500mW
Product Width 4mm
Supplier Package SOIC N
Configuration Single; Quad Drain, Triple Source
Typical Fall Time 10ns
Typical Rise Time 15ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 30V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 13.6A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.0079Ω
Typical Turn-Off Delay Time 25ns
Typical Turn-On Delay Time 20ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя SI4162DY-T1-GE3
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет