Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
Vishay
SI3460BDV-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 6.7A

Trans MOSFET N-CH 20V 6.7A
MOSFET Vishay SI3460BDV-T1-E3
Код SI3460BDV-T1-E3
Производитель Vishay
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 1mm
Product Length 3.05mm
Category Power MOSFET
Maximum Power Dissipation 2000mW
Product Width 1.65mm
Supplier Package TSOP
Configuration Single; Quad Drain
Typical Fall Time 6, 5ns
Typical Rise Time 60, 15ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 20V
Maximum Gate Source Voltage ±8V
Maximum Continuous Drain Current 6.7A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.027Ω
Typical Turn-Off Delay Time 25ns
Typical Turn-On Delay Time 7, 5ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя SI3460BDV-T1-E3
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет