Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
Vishay
SI3441BDV-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 2.45A

Trans MOSFET P-CH 20V 2.45A
MOSFET Vishay SI3441BDV-T1-GE3
Код SI3441BDV-T1-GE3
Производитель Vishay
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 1mm
Product Length 3.05mm
Category Power MOSFET
Maximum Power Dissipation 860mW
Product Width 1.65mm
Supplier Package TSOP
Configuration Single; Quad Drain
Typical Fall Time 40ns
Typical Rise Time 55ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type P
Maximum Drain Source Voltage 20V
Maximum Gate Source Voltage ±8V
Maximum Continuous Drain Current 2.45A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.09Ω
Typical Turn-Off Delay Time 30ns
Typical Turn-On Delay Time 15ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя SI3441BDV-T1-GE3
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет