Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
Vishay
SI2319DS-T1-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A

Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A
MOSFET Vishay SI2319DS-T1-E3
Код SI2319DS-T1-E3
Производитель Vishay
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 1.02mm
Product Length 3.04mm
Category Power MOSFET
Maximum Power Dissipation 750mW
Product Width 1.4mm
Supplier Package TO-236
Configuration Single
Typical Fall Time 25ns
Typical Rise Time 15ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type P
Maximum Drain Source Voltage 40V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 2.3A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.082Ω
Typical Turn-Off Delay Time 25ns
Typical Turn-On Delay Time 7ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя SI2319DS-T1-E3
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет