Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
Vishay
SI2312BDS-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A

Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A
MOSFET Vishay SI2312BDS-T1-GE3
Код SI2312BDS-T1-GE3
Производитель Vishay
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 1.02mm
Product Length 3.04mm
Category Power MOSFET
Maximum Power Dissipation 750mW
Product Width 1.4mm
Supplier Package TO-236
Configuration Single
Typical Fall Time 10ns
Typical Rise Time 30ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 20V
Maximum Gate Source Voltage ±8V
Maximum Continuous Drain Current 3.9A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.031Ω
Typical Turn-Off Delay Time 35ns
Typical Turn-On Delay Time 9ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя SI2312BDS-T1-GE3
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет