Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
Vishay
SI2305CDS-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A

Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A
MOSFET Vishay SI2305CDS-T1-GE3
Код SI2305CDS-T1-GE3
Производитель Vishay
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 1.02mm
Product Length 3.04mm
Category Power MOSFET
Maximum Power Dissipation 960mW
Product Width 1.4mm
Supplier Package SOT-23
Configuration Single
Typical Fall Time 10ns
Typical Rise Time 20ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type P
Maximum Drain Source Voltage 8V
Maximum Gate Source Voltage ±8V
Maximum Continuous Drain Current 4.4A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.035Ω
Typical Turn-Off Delay Time 40ns
Typical Turn-On Delay Time 20ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя SI2305CDS-T1-GE3
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет