Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
Vishay
IRLI640GPBF

Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A

Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A
MOSFET Vishay IRLI640GPBF
Код IRLI640GPBF
Производитель Vishay
Mounting Through Hole
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 9.8mm
Product Length 10.63mm
Category Power MOSFET
Maximum Power Dissipation 40000mW
Product Width 4.83mm
Supplier Package TO-220 Full-Pak
Configuration Single
Typical Fall Time 52ns
Typical Rise Time 83ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 200V
Maximum Gate Source Voltage ±10V
Maximum Continuous Drain Current 9.9A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.18Ω
Typical Turn-Off Delay Time 44ns
Typical Turn-On Delay Time 8ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя IRLI640GPBF
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет