Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
Vishay
IRFBG30PBF

N-channel MOSFET,IRFBG30 3.1A 1000V

N-channel MOSFET,IRFBG30 3.1A 1000V
MOSFET Vishay IRFBG30PBF
Код IRFBG30PBF
Производитель Vishay
Mounting Through Hole
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 8.77
Product Length 10.54
Category Power MOSFET
Product Width 4.69
Supplier Package TO-220AB
Configuration Single
Typical Fall Time 20ns
Typical Rise Time 25ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 1000V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 3.1A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 5Ω
Typical Turn-Off Delay Time 89ns
Typical Turn-On Delay Time 12ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя IRFBG30PBF
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество: