Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
Vishay
IRFBE30SPBF

Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A

Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A
MOSFET Vishay IRFBE30SPBF
Код IRFBE30SPBF
Производитель Vishay
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 4.83mm
Product Length 10.67mm
Category Power MOSFET
Maximum Power Dissipation 125000mW
Product Width 9.65mm
Supplier Package D2PAK
Configuration Single
Typical Fall Time 30ns
Typical Rise Time 33ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 800V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 4.1A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 3Ω
Typical Turn-Off Delay Time 82ns
Typical Turn-On Delay Time 12ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя IRFBE30SPBF
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет