Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
Vishay
IRFBE30PBF

N-channel MOSFET,IRFBE30 4.1A 800V

N-channel MOSFET,IRFBE30 4.1A 800V
MOSFET Vishay IRFBE30PBF
Код IRFBE30PBF
Производитель Vishay
Mounting Through Hole
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 8.77
Product Length 10.54
Category Power MOSFET
Product Width 4.69
Supplier Package TO-220AB
Configuration Single
Typical Fall Time 30ns
Typical Rise Time 33ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 800V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 4.1A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 3Ω
Typical Turn-Off Delay Time 82ns
Typical Turn-On Delay Time 12ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя IRFBE30PBF
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество: