Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
Toshiba
2SK3906(Q)

Power N ch MOSFET/diode 600V 20A TO3P

Power N ch MOSFET/diode 600V 20A TO3P
MOSFET Toshiba 2SK3906(Q)
Код 2SK3906(Q)
Производитель Toshiba
Mounting Through Hole
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 19
Product Length 15.9
Category Power MOSFET
Product Width 4.8
Supplier Package TO-3PN
Configuration Single
Typical Fall Time 10ns
Typical Rise Time 12ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 600V
Maximum Gate Source Voltage ±30V
Maximum Continuous Drain Current 20A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.33Ω
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя 2SK3906(Q)
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество: