Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
Toshiba
2SK3667(Q)

Transistor,MOSFET

Transistor,MOSFET
MOSFET Toshiba 2SK3667(Q)
Код 2SK3667(Q)
Производитель Toshiba
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 8.1
Product Length 10
Category Power MOSFET
Product Width 4.5
Supplier Package SC-67
Configuration Single
Typical Fall Time 35ns
Typical Rise Time 20ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 600V
Maximum Gate Source Voltage ±30V
Maximum Continuous Drain Current 7.5A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 1Ω
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя 2SK3667(Q)
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет