Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
Toshiba
2SK2613(F)

Semi, Discrete, MOS, FET, TOSH, TO3P, Nc

Semi, Discrete, MOS, FET, TOSH, TO3P, Nc
MOSFET Toshiba 2SK2613(F)
Код 2SK2613(F)
Производитель Toshiba
Mounting Through Hole
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 20
Product Length 15.5
Category Power MOSFET
Product Width 4.5
Supplier Package TO-3P(W)
Configuration Single
Typical Fall Time 30ns
Typical Rise Time 20ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 1000V
Maximum Gate Source Voltage ±30V
Maximum Continuous Drain Current 8A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 1.7Ω
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя 2SK2613(F)
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет