Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
Toshiba
2SK1119(F)

2SK1119(F)

2SK1119(F)
MOSFET Toshiba 2SK1119(F)
Код 2SK1119(F)
Производитель Toshiba
Mounting Through Hole
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 9
Product Length 10.3
Category Power MOSFET
Product Width 4.7
Supplier Package TO-220
Configuration Single
Typical Fall Time 12ns
Typical Rise Time 18ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 1000V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 4A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 3.8Ω
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя 2SK1119(F)
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество: