Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
ON Semiconductor
NTHD3101FT1G

MOSFET P-Ch,4.1A Schtky Dio,NTHD3101FT1G

MOSFET P-Ch,4.1A Schtky Dio,NTHD3101FT1G
MOSFET ON Semiconductor NTHD3101FT1G
Код NTHD3101FT1G
Производитель ON Semiconductor
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 1.05
Product Length 3.05
Category Power MOSFET
Product Width 1.65
Supplier Package Chip FET
Configuration Single; Dual Drain
Typical Fall Time 12.4ns
Typical Rise Time 11.7ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type P
Maximum Drain Source Voltage 20V
Maximum Gate Source Voltage ±8V
Maximum Continuous Drain Current 3.2A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.08Ω
Typical Turn-Off Delay Time 16ns
Typical Turn-On Delay Time 5.8ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя NTHD3101FT1G
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет