Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
ON Semiconductor
NID6002NT4G

6.5 A, Single N-Channel FET, NID6002NT4G

6.5 A, Single N-Channel FET, NID6002NT4G
MOSFET ON Semiconductor NID6002NT4G
Код NID6002NT4G
Производитель ON Semiconductor
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 2.38
Product Length 6.73
Category Power MOSFET
Product Width 6.22
Supplier Package DPAK
Configuration Single
Typical Fall Time 660ns
Typical Rise Time 250ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 70V
Maximum Gate Source Voltage ±14V
Maximum Continuous Drain Current 6.5A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.21Ω
Typical Turn-Off Delay Time 840ns
Typical Turn-On Delay Time 96ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя NID6002NT4G
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет