Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

Транзисторы Дарлингтона
ON Semiconductor
MJD112T4G

Power 2A 100V Darlington NPN, MJD112T4G

Power 2A 100V Darlington NPN, MJD112T4G
Транзисторы Дарлингтона ON Semiconductor MJD112T4G
Код MJD112T4G
Производитель ON Semiconductor
Type NPN
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -65°C
Product Height 2.38
Product Length 6.73
Pin Count 3
Product Width 6.22
Supplier Package DPAK
Configuration Single
Maximum Collector Emitter Voltage 100V
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage 100V
Maximum Collector Cut-off Current 20μA
Maximum Continuous DC Collector Current 2A
Maximum Emitter Base Voltage 5V
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя MJD112T4G
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет