Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
NXP
PHKD6N02LT

N-Ch. TRENCHMOS,150V,PHKD6N02LT

N-Ch. TRENCHMOS,150V,PHKD6N02LT
MOSFET NXP PHKD6N02LT
Код PHKD6N02LT
Производитель NXP
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 1.45
Product Length 5
Category Power MOSFET
Product Width 4
Supplier Package SO
Configuration Dual; Dual Drain
Typical Fall Time 23ns
Typical Rise Time 49ns
Number of Elements per Chip 2
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 20V
Maximum Gate Source Voltage ±12V
Maximum Continuous Drain Current 10.9A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.02Ω
Typical Turn-Off Delay Time 50ns
Typical Turn-On Delay Time 15ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя PHKD6N02LT
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет