Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
NXP
PHD101NQ03LT

N-Ch. TRENCHMOS,30V,PHD101NQ03LT

N-Ch. TRENCHMOS,30V,PHD101NQ03LT
MOSFET NXP PHD101NQ03LT
Код PHD101NQ03LT
Производитель NXP
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 175°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 2.38
Product Length 6.73
Category Power MOSFET
Product Width 6.22
Supplier Package DPAK
Configuration Single
Typical Fall Time 33ns
Typical Rise Time 90ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 30V
Maximum Gate Source Voltage 20V
Maximum Continuous Drain Current 75A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.0055Ω
Typical Turn-Off Delay Time 37ns
Typical Turn-On Delay Time 23ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя PHD101NQ03LT
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет