Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
NXP
PH8230E

N-Ch. TRENCHMOS,30V,PH8230E

N-Ch. TRENCHMOS,30V,PH8230E
MOSFET NXP PH8230E
Код PH8230E
Производитель NXP
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 1.1
Product Length 5
Category Power MOSFET
Product Width 4.1
Supplier Package LFPAK
Configuration Single; Triple Source
Typical Fall Time 21ns
Typical Rise Time 44ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 30V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 67A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.0082Ω
Typical Turn-Off Delay Time 33ns
Typical Turn-On Delay Time 28ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя PH8230E
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет