Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
NXP
BSH112

N-Ch Field-Effect Transistor,60V,BSH112

N-Ch Field-Effect Transistor,60V,BSH112
MOSFET NXP BSH112
Код BSH112
Производитель NXP
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -65°C
Product Height 1
Product Length 3
Category Power MOSFET
Product Width 1.4
Supplier Package TO-236AB
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 60V
Maximum Gate Source Voltage ±15V
Maximum Continuous Drain Current 0.3A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 5Ω
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя BSH112
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет