Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
NXP
BSH111

N-Ch Field-Effect Transistor,55V,BSH111

N-Ch Field-Effect Transistor,55V,BSH111
MOSFET NXP BSH111
Код BSH111
Производитель NXP
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -65°C
Product Height 1
Product Length 3
Category Power MOSFET
Product Width 1.4
Supplier Package TO-236AB
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 55V
Maximum Gate Source Voltage ±10V
Maximum Continuous Drain Current 0.335A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 4Ω
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя BSH111
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет