Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
NXP
BLL1214-250

BLL1214-250 L-band radar transistor

BLL1214-250 L-band radar transistor
MOSFET NXP BLL1214-250
Код BLL1214-250
Производитель NXP
Mounting Screw
Maximum Operating Temperature 200°C
Minimum Operating Temperature -65°C
Output Power 250
Product Height 4.72
Product Length 20.02
Category RF MOSFET
Product Width 9.91
Supplier Package LDMOST
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Typical Power Gain 12dB
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 75V
Maximum Gate Source Voltage ±22V
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.06Ω
Maximum Frequency 1400MHz
Typical Drain Efficiency 42%
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя BLL1214-250
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество: