Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
NXP
BLF4G22S-100

BLF4G22S-100 UHF power LDMOS transistor

BLF4G22S-100 UHF power LDMOS transistor
MOSFET NXP BLF4G22S-100
Код BLF4G22S-100
Производитель NXP
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 200°C
Minimum Operating Temperature -65°C
Output Power 25
Product Height 4.72
Product Length 20.7
Category RF MOSFET
Product Width 9.91
Supplier Package LDMOST
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Typical Power Gain 13.5dB
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 65V
Maximum Gate Source Voltage 15V
Maximum Continuous Drain Current 12A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.09Ω
Maximum Frequency 2200MHz
Typical Drain Efficiency 26%
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя BLF4G22S-100
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество: