Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
NXP
BLF175

BLF175 HF-VHF power MOS transistor

BLF175 HF-VHF power MOS transistor
MOSFET NXP BLF175
Код BLF175
Производитель NXP
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 200°C
Minimum Operating Temperature -65°C
Output Power 30
Product Height 7.47
Product Length 24.87
Category RF MOSFET
Product Width 9.73
Supplier Package SOT-123A
Configuration Single; Dual Source
Number of Elements per Chip 1
Typical Power Gain 24dB
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 125V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 4A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 1.5Ω
Maximum Frequency 108MHz
Typical Drain Efficiency 65%
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя BLF175
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество: