Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
NXP
BF1202WR

BF1202WR N-channel dual-gate PoLo MOSFET

BF1202WR N-channel dual-gate PoLo MOSFET
MOSFET NXP BF1202WR
Код BF1202WR
Производитель NXP
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -65°C
Product Height 1
Product Length 2.2
Category RF MOSFET
Product Width 1.35
Supplier Package CMPAK
Configuration Single; Dual Gate
Number of Elements per Chip 1
Typical Power Gain 34.5dB
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 10V
Maximum Gate Source Voltage 6V
Maximum Continuous Drain Current 0.03A
Channel Mode Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds 1.7@5V@Gate 1, 1@5V@Gate 2pF
Maximum Noise Figure 1.8dB
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя BF1202WR
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет