Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
NXP
BF1105WR

BF1105WR N-channel dual-gate MOSFET

BF1105WR N-channel dual-gate MOSFET
MOSFET NXP BF1105WR
Код BF1105WR
Производитель NXP
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -65°C
Product Height 1
Product Length 3
Category RF MOSFET
Product Width 1.4
Supplier Package SOT
Configuration Single; Dual Gate
Number of Elements per Chip 1
Typical Power Gain 38dB
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 7V
Maximum Gate Source Voltage 7V
Maximum Continuous Drain Current 0.03A
Channel Mode Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds 2.2@5V@Gate 1, 1.6@5V@Gate 2pF
Maximum Noise Figure 2.5dB
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя BF1105WR
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет