Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
IXYS
IXTQ110N055P

55V 110A MOSFET + Inverse Diode TO3P

55V 110A MOSFET + Inverse Diode TO3P
MOSFET IXYS IXTQ110N055P
Код IXTQ110N055P
Производитель IXYS
Mounting Through Hole
Maximum Operating Temperature 175°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 20.3
Product Length 15.8
Category Power MOSFET
Product Width 4.9
Supplier Package TO-3P
Configuration Single
Typical Fall Time 45ns
Typical Rise Time 53ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 55V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 110A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.0135Ω
Typical Turn-Off Delay Time 66ns
Typical Turn-On Delay Time 27ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя IXTQ110N055P
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество: