Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
IXYS
IXTP50N20P

200V 50A MOSFET + Inverse Diode TO220AB

200V 50A MOSFET + Inverse Diode TO220AB
MOSFET IXYS IXTP50N20P
Код IXTP50N20P
Производитель IXYS
Mounting Through Hole
Maximum Operating Temperature 175°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 9.15
Product Length 10.66
Category Power MOSFET
Product Width 4.83
Supplier Package TO-220
Configuration Single
Typical Fall Time 30ns
Typical Rise Time 35ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 200V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 50A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.06Ω
Typical Turn-Off Delay Time 70ns
Typical Turn-On Delay Time 26ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя IXTP50N20P
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество: