Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
IXYS
IXTP3N60P

600V 3A MOSFET + Inverse Diode TO220AB

600V 3A MOSFET + Inverse Diode TO220AB
MOSFET IXYS IXTP3N60P
Код IXTP3N60P
Производитель IXYS
Mounting Through Hole
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 9.15
Product Length 10.66
Category Power MOSFET
Product Width 4.83
Supplier Package TO-220
Configuration Single
Typical Fall Time 22ns
Typical Rise Time 25ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 600V
Maximum Gate Source Voltage ±30V
Maximum Continuous Drain Current 3A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 2.9Ω
Typical Turn-Off Delay Time 58ns
Typical Turn-On Delay Time 25ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя IXTP3N60P
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет