Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
IXYS
IXTA110N055P

55V 110A MOSFET + Inverse Diode TO263AB

55V 110A MOSFET + Inverse Diode TO263AB
MOSFET IXYS IXTA110N055P
Код IXTA110N055P
Производитель IXYS
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 175°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 4.5
Product Length 9.9
Category Power MOSFET
Product Width 9.2
Supplier Package TO-263
Configuration Single
Typical Fall Time 45ns
Typical Rise Time 53ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 55V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 110A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.0135Ω
Typical Turn-Off Delay Time 66ns
Typical Turn-On Delay Time 27ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя IXTA110N055P
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество: