Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
IXYS
IXFX30N100Q2

1000V 30A MOSFET + Inverse Diode PLUS247

1000V 30A MOSFET + Inverse Diode PLUS247
MOSFET IXYS IXFX30N100Q2
Код IXFX30N100Q2
Производитель IXYS
Mounting Through Hole
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 21.34
Product Length 16.13
Category Power MOSFET
Product Width 5.21
Supplier Package PLUS 247
Configuration Single
Typical Fall Time 10ns
Typical Rise Time 14ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 1000V
Maximum Gate Source Voltage ±30V
Maximum Continuous Drain Current 30A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.4Ω
Typical Turn-Off Delay Time 60ns
Typical Turn-On Delay Time 22ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя IXFX30N100Q2
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество: