Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
IXYS
IXFN82N60P

600V 82A MOSFET + Inv Diode SOT227B

600V 82A MOSFET + Inv Diode SOT227B
MOSFET IXYS IXFN82N60P
Код IXFN82N60P
Производитель IXYS
Mounting Screw
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 9.6
Product Length 38.2
Category Power MOSFET
Product Width 25.07
Supplier Package SOT-227B
Configuration Single; Dual Source
Typical Fall Time 24ns
Typical Rise Time 23ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 600V
Maximum Gate Source Voltage ±30V
Maximum Continuous Drain Current 72A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.075Ω
Typical Turn-Off Delay Time 79ns
Typical Turn-On Delay Time 28ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя IXFN82N60P
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество: