Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
IXYS
IXFN60N80P

800V 60A MOSFET + Inverse Diode SOT227B

800V 60A MOSFET + Inverse Diode SOT227B
MOSFET IXYS IXFN60N80P
Код IXFN60N80P
Производитель IXYS
Mounting Screw
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 9.6
Product Length 38.23
Category Power MOSFET
Product Width 25.42
Supplier Package SOT-227B
Configuration Single; Dual Source
Typical Fall Time 26ns
Typical Rise Time 29ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 800V
Maximum Gate Source Voltage ±30V
Maximum Continuous Drain Current 53A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.14Ω
Typical Turn-Off Delay Time 110ns
Typical Turn-On Delay Time 36ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя IXFN60N80P
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество: