Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
IXYS
IXFH58N20

N-channel MOSFET,IXFH58N20 58A 200V

N-channel MOSFET,IXFH58N20 58A 200V
MOSFET IXYS IXFH58N20
Код IXFH58N20
Производитель IXYS
Mounting Through Hole
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 21.46
Product Length 16.26
Category Power MOSFET
Product Width 5.3
Supplier Package TO-247AD
Configuration Single
Typical Fall Time 16ns
Typical Rise Time 15ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 200V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 58A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.04Ω
Typical Turn-Off Delay Time 72ns
Typical Turn-On Delay Time 18ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя IXFH58N20
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество: