Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
IXYS
IXFH110N10P

100V 110A MOSFET + Inverse Diode TO247

100V 110A MOSFET + Inverse Diode TO247
MOSFET IXYS IXFH110N10P
Код IXFH110N10P
Производитель IXYS
Mounting Through Hole
Maximum Operating Temperature 175°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 21.46
Product Length 16.26
Category Power MOSFET
Product Width 5.3
Supplier Package TO-247
Configuration Single
Typical Fall Time 25ns
Typical Rise Time 25ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 100V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 110A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.015Ω
Typical Turn-Off Delay Time 65ns
Typical Turn-On Delay Time 21ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя IXFH110N10P
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество: