Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
International Rectifier
SI4410DYTRPBF

HEXFET SI4410DYTR

HEXFET SI4410DYTR
MOSFET International Rectifier SI4410DYTRPBF
Код SI4410DYTRPBF
Производитель International Rectifier
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 1.55
Product Length 5
Category Power MOSFET
Product Width 4
Supplier Package SOIC N
Configuration Single; Quad Drain, Triple Source
Typical Fall Time 44ns
Typical Rise Time 7.7ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 30V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 10A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.0135Ω
Typical Turn-Off Delay Time 38ns
Typical Turn-On Delay Time 11ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя SI4410DYTRPBF
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество: