Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
International Rectifier
IRF9910PBF

Dual N-chan MOSFET 10A 20V SO8 IRF9910

Dual N-chan MOSFET 10A 20V SO8 IRF9910
MOSFET International Rectifier IRF9910PBF
Код IRF9910PBF
Производитель International Rectifier
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 1.5
Product Length 4.98
Category Power MOSFET
Product Width 4
Supplier Package SOIC
Configuration Dual; Dual Drain
Typical Fall Time 4.5@Q1,7.5@Q2ns
Typical Rise Time 10@Q1,14@Q2ns
Number of Elements per Chip 2
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 20V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 10@Q1, 12@Q2A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.0134@Q1, 0.0093@Q2Ω
Typical Input Capacitance @ Vds 900@10V@Q1, 1860@10V@Q2pF
Typical Turn-Off Delay Time 9.2@Q1, 15@Q2ns
Typical Turn-On Delay Time 6.3@Q1, 8.3@Q2ns
Typical Gate Charge @ Vgs 7.4@4.5V@Q1, 15@4.5V@Q2nC
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя IRF9910PBF
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет