Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
International Rectifier
IRF8513PBF

MOSFET Dual N-ch HEXFET 30V 11A SOIC8

MOSFET Dual N-ch HEXFET 30V 11A SOIC8
MOSFET International Rectifier IRF8513PBF
Код IRF8513PBF
Производитель International Rectifier
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 175°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 1.5
Product Length 5
Category Power MOSFET
Product Width 4
Supplier Package SOIC
Configuration Dual
Typical Fall Time 5.7@Q1,5@Q2ns
Typical Rise Time 8.5@Q1,10.7@Q2ns
Number of Elements per Chip 2
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 30V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 8@Q1, 11@Q2A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.0155@Q1, 0.0127@Q2Ω
Typical Input Capacitance @ Vds 766@15V@Q1, 1024@15V@Q2pF
Typical Turn-Off Delay Time 8.8@Q1, 9.3@Q2ns
Typical Turn-On Delay Time 8@Q1, 8.9@Q2ns
Typical Gate Charge @ Vgs 5.7@4.5V@Q1, 7.6@4.5V@Q2nC
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя IRF8513PBF
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет