Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
International Rectifier
IRF8313PBF

MOSFET Dual N-ch HEXFET 30V 9.7A SOIC8

MOSFET Dual N-ch HEXFET 30V 9.7A SOIC8
MOSFET International Rectifier IRF8313PBF
Код IRF8313PBF
Производитель International Rectifier
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 175°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 1.5
Product Length 5
Category Power MOSFET
Product Width 4
Supplier Package SOIC
Configuration Dual; Dual Drain
Typical Fall Time 4.2ns
Typical Rise Time 9.9ns
Number of Elements per Chip 2
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 30V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 9.7A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.0155Ω
Typical Turn-Off Delay Time 8.5ns
Typical Turn-On Delay Time 8.3ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя IRF8313PBF
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет