Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
International Rectifier
IRF7910PBF

MOSFET Dual N-ch HEXFET® 10A 12V SOIC8

MOSFET Dual N-ch HEXFET® 10A 12V SOIC8
MOSFET International Rectifier IRF7910PBF
Код IRF7910PBF
Производитель International Rectifier
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 1.5
Product Length 4.98
Category Power MOSFET
Product Width 4
Supplier Package SOIC
Configuration Dual; Dual Drain
Typical Fall Time 6.3ns
Typical Rise Time 22ns
Number of Elements per Chip 2
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 12V
Maximum Gate Source Voltage ±12V
Maximum Continuous Drain Current 10A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.015Ω
Typical Turn-Off Delay Time 16ns
Typical Turn-On Delay Time 9.4ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя IRF7910PBF
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество: