Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
International Rectifier
IRF7341QPBF

55V Dual N-Channel HEXFET,IRF7341QPBF

55V Dual N-Channel HEXFET,IRF7341QPBF
MOSFET International Rectifier IRF7341QPBF
Код IRF7341QPBF
Производитель International Rectifier
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 175°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 1.5
Product Length 5
Category Power MOSFET
Product Width 4
Supplier Package SOIC
Configuration Dual; Dual Drain
Typical Fall Time 12.5ns
Typical Rise Time 7.7ns
Number of Elements per Chip 2
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 55V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 5.1A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.05Ω
Typical Turn-Off Delay Time 31ns
Typical Turn-On Delay Time 9.2ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя IRF7341QPBF
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет