Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
International Rectifier
IRF6710S2TR1PBF

MOSFET N HEXFET 25V 12A DirectFET S1

MOSFET N HEXFET 25V 12A DirectFET S1
MOSFET International Rectifier IRF6710S2TR1PBF
Код IRF6710S2TR1PBF
Производитель International Rectifier
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 175°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 0.66
Product Length 3.95
Category Power MOSFET
Product Width 3.95
Supplier Package Direct-FET S1
Configuration Single; Quad Drain, Triple Source
Typical Fall Time 6ns
Typical Rise Time 20ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 25V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 12A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.0059Ω
Typical Turn-Off Delay Time 5.2ns
Typical Turn-On Delay Time 7.9ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя IRF6710S2TR1PBF
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет