Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
International Rectifier
IRF6709S2TR1PBF

MOSFET N HEXFET 25V 12A DirectFET S1

MOSFET N HEXFET 25V 12A DirectFET S1
MOSFET International Rectifier IRF6709S2TR1PBF
Код IRF6709S2TR1PBF
Производитель International Rectifier
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 175°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 0.66
Product Length 3.95
Category Power MOSFET
Product Width 3.95
Supplier Package Direct-FET S1
Configuration Single; Quad Drain
Typical Fall Time 9.5ns
Typical Rise Time 25ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 25V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 12A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.0078Ω
Typical Turn-Off Delay Time 9.1ns
Typical Turn-On Delay Time 8.4ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя IRF6709S2TR1PBF
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет